項(xiàng)目編號(hào)：Dlmu-FS-20240977
項(xiàng)目名稱：Ga2O3器件加工
公示時(shí)間：2024年12月10日- 2024年12月13日
擬成交單位 ：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
采購(gòu)預(yù)算：48267元
采購(gòu)內(nèi)容：方案一工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm),，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場(chǎng)板介質(zhì)的光刻與刻蝕 肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過(guò)刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理 ALD:利用ALD生長(zhǎng)5nm的TiN作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層 陽(yáng)極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Cu/Au(100/200nm),，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后,，在N2氣氛下,，退火溫度為300℃、400℃,、500℃,，退火的時(shí)間為5分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出,，防止樣品被熱氧化 劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片 方案二工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm),，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場(chǎng)板介質(zhì)的光刻與刻蝕 肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過(guò)刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理。 ALD:利用ALD生長(zhǎng)5nm的TiN作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層 陽(yáng)極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ni/Au(100/200nm),，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后，在N2氣氛下,，退火溫度為300℃,、400℃、500℃,，退火的時(shí)間為5分鐘,，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出，防止樣品被熱氧化 劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片 方案三工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm),，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場(chǎng)板介質(zhì)的光刻與刻蝕 肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過(guò)刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理,。 ALD:利用ALD生長(zhǎng)5nm的TiO2作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層 陽(yáng)極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Cu/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后,，在N2氣氛下,，退火溫度為300℃、400℃,、500℃,，退火的時(shí)間為5分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出,，防止樣品被熱氧化 劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片 方案四工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm),，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場(chǎng)板介質(zhì)的光刻與刻蝕 肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過(guò)刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理 ALD:利用ALD生長(zhǎng)5nm的TiO2作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層 陽(yáng)極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ni/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后,，在N2氣氛下,，退火溫度為300℃、400℃,、500℃,，退火的時(shí)間為5分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出,，防止樣品被熱氧化 劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片 第一次測(cè)試內(nèi)容： 選擇測(cè)試的電極尺寸：425μm,，5個(gè)電極最中間的那個(gè) IV BV （1）結(jié)構(gòu):Cu/Cr/Au （2）結(jié)構(gòu):Cr/Cu/Cr/Au （3）結(jié)構(gòu):Al2O3/Cu/Cr/Au 第二次后續(xù)重新退火+電學(xué)測(cè)試： A.退火： 選擇之前三個(gè)結(jié)構(gòu)中100℃退火的樣品片重新進(jìn)行氮?dú)鈿夥障?span lang="EN-US">450℃快速熱退火。 B.電學(xué)測(cè)試： （1）對(duì)Cu/Cr/Au和Al2O3/Cu/Cr/Au兩種結(jié)構(gòu)中未退火的樣品片，選擇425μm尺寸的電極進(jìn)行IV,，BV測(cè)試,。 （2）對(duì)Cu/Cr/Au和Al2O3/Cu/Cr/Au兩個(gè)結(jié)構(gòu)中重新進(jìn)行450℃快速熱退火的兩個(gè)樣品，選擇425μm尺寸的電極進(jìn)行IV,，BV測(cè)試,。 |
單一來(lái)源理由：本次采購(gòu)的氧化鎵器件加工，需要將4吋的氧化鎵晶圓切割成8×8mm的方形小片,，并在此基礎(chǔ)上利用8×8mm的氧化鎵小片為襯底制備氧化鎵功率器件,。器件的加工需要在超高真空下進(jìn)行，同時(shí)需要采用PECVD生長(zhǎng)300nm厚SiO2并按照版圖進(jìn)行光刻,，采用ALD生長(zhǎng)5nm的TiN或TiO2薄膜,，采用電子束蒸發(fā)方法來(lái)沉積Cu/Au或Ni/Au，而且加工時(shí)需要適當(dāng)?shù)幕訜釡囟?，加工過(guò)程需要特定的綜合工藝制備方案,。另外根據(jù)圖形化需求，需要加工單位具有比較成熟的刻蝕技術(shù),。 經(jīng)調(diào)研,，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所（蘇納所）的納米加工平臺(tái)長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體材料與器件、工藝相關(guān)研究,，并且在氧化鎵制備中發(fā)表多篇高水平論文和申請(qǐng)相關(guān)專利多項(xiàng),，具備豐富的工藝開(kāi)發(fā)和整合經(jīng)驗(yàn)，適于承接該類研發(fā)器件代工工藝技術(shù)支持與搭載流片服務(wù)（特別適合于具有實(shí)驗(yàn)性質(zhì)的器件加工）,。因此,，蘇納所的加工平臺(tái)是目前唯一能夠滿足本次器件加工要求并愿意提供加工服務(wù)的單位。擬采用校內(nèi)單一來(lái)源方式采購(gòu)
論證小組成員：曹菲,宋延興,張維
有關(guān)單位或個(gè)人如對(duì)本項(xiàng)目采用校內(nèi)單一來(lái)源采購(gòu)方式有異議,，應(yīng)在公示期內(nèi)以書(shū)面形式向大連海事大學(xué)招投標(biāo)與采購(gòu)中心反映,。
聯(lián)系人：崔迪
聯(lián)系電話：0411-84729221
國(guó)有資產(chǎn)與實(shí)驗(yàn)室管理處
招投標(biāo)與采購(gòu)中心
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