項目編號：Dlmu-FS-20240263
項目名稱：GaN晶圓加工
公示時間：2024年07月03日- 2024年07月08日
擬成交單位 ：無錫起東電子科技有限公司
采購預(yù)算：93900元
采購內(nèi)容：E-mode GaN 集成晶圓3片,，藍(lán)寶石襯底 2片,，硅襯底1片。光罩版數(shù)據(jù)提供甲方無償使用,。實現(xiàn)耐壓250V和350V,。 |
技術(shù)指標(biāo)如下：
350V emode GaN
參數(shù) | 描述 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
GaN FET 特性 |
BVDSS | 漏源耐壓 | VGS=0V,VDS=350V | 350 |
|
| V |
IDSS | 漏源漏電流 | VGS=0V,VDS=350V |
| 0.2 | 25 | uA |
RDSON | 導(dǎo)通電阻 | Vgate=6V, IDS=4A TC=27℃ |
| 87 | 100 | mΩ |
VSD | 源漏的反向?qū)妷?/strong> | VPWM=6V, ISD=4A |
| 3.5 | 5 | V |
QOSS | 輸出電荷 | VDS=350V, VPWM=0V |
| 19 |
| nC |
QRR | 反向恢復(fù)電荷 | VDS=350V, VPWM=0V |
| 0 |
| nC |
Coss | 輸出電容 | VDS=350V, VPWM=0V |
| 21 |
| pF |
250V emode GaN
參數(shù) | 描述 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
GaN FET 特性 |
BVDSS | 漏源耐壓 | VGS=0V,VDS=250V | 250 |
|
| V |
IDSS | 漏源漏電流 | VGS=0V,VDS=250V |
| 0.2 | 25 | uA |
RDSON | 導(dǎo)通電阻 | Vgate=6V, IDS=4A TC=27℃ |
| 87 | 100 | mΩ |
VSD | 源漏的反向?qū)妷?/strong> | VPWM=6V, ISD=4A |
| 3.5 | 5 | V |
QOSS | 輸出電荷 | VDS=250V, VPWM=0V |
| 21.5 |
| nC |
QRR | 反向恢復(fù)電荷 | VDS=250V, VPWM=0V |
| 0 |
| nC |
Coss | 輸出電容 | VDS=250V, VPWM=0V |
| 24 |
| pF |
單一來源理由：本次采購的器件加工需要在藍(lán)寶石襯底上采用獨有的多緩沖層制備技術(shù)實現(xiàn)增強(qiáng)型氮化鎵器件,。此外,，部分設(shè)計器件的加工需要兼顧考慮抗輻射加固工藝條件,。由于委托加工GaN晶圓數(shù)量只有3片，數(shù)量太少,，foundry不會單獨給我們進(jìn)行加工,，只能委托具有相同類型GaN器件加工需求的公司，搭載其訂單實現(xiàn),。經(jīng)調(diào)研,，無錫起東電子科技有限公司在氮化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域具有豐富的工藝開發(fā)和整合經(jīng)驗，適于承接該類研發(fā)器件代工工藝技術(shù)支持與搭載流片服務(wù)（特別適合于具有實驗性質(zhì)的器件流片）,，是目前唯一能夠滿足用戶要求并愿意提供加工服務(wù)的廠家,。因此，擬采用單一來源采購方式,。
論證小組成員：曹菲,包夢恬,宋延興
有關(guān)單位或個人如對本項目采用校內(nèi)單一來源采購方式有異議,，應(yīng)在公示期內(nèi)以書面形式向大連海事大學(xué)招投標(biāo)與采購中心反映。
聯(lián)系人：崔老師
聯(lián)系電話：84729221
國有資產(chǎn)與實驗室管理處
招投標(biāo)與采購中心
2024年07月03日
